Моя заявка (0)
SIHW33N60E-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005545847
Артикул
SIHW33N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
38
Серия
E
Упаковка
Tube
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 1 090 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-247AD

Технические параметры

Вес, г38
СерияE
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада54 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-247AD-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора100 nC
Время нарастания60 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности278 W
Id - непрерывный ток утечки33 A
Размер фабричной упаковки480
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток99 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения99 ns
Типичное время задержки при включении28 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А247
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация