SIHU7N60E-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8262694697
- Артикул
- SIHU7N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.69
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 78Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 333 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.69 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 78Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.5Ом |
| Линейка Продукции | E |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.5 Ом |