Моя заявка (0)

SIHU7N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251

SIHU7N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070145716
Артикул
SIHU7N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
2
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
78Вт
Drain Source On State Resistance
0.5Ом
Цена по запросу
(от 259 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2
Channel TypeN Channel
Power Dissipation78Вт
Drain Source On State Resistance0.5Ом
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока7А
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-251
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация