Моя заявка (0)
SIHU6N80AE-GE3, MOSFETs N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004729470
Артикул
SIHU6N80AE-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
E
Fall Time:
20 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 164,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:E
Fall Time:20 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:10 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-251-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:15 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:62.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1.9 S
Rds On - Drain-Source Resistance:950 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация