SIHU6N65E-GE3, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251 (IPAK), Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012539753
- Артикул
- SIHU6N65E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.17
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- E
- Высота
- 6.22 mm
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Технические параметры
| Вес, г | 0.17 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | E |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.39 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 20 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Время нарастания | 12 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.5 Ом |