Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 5.3 A, 500 V IPAK SIHU5N50D-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032629439
Артикул
SIHU5N50D-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
D
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройство Vishay Semiconductor N-channel 500 В 5,3 А (Tc) мощностью 104 Вт (Tc) с сквозным отверстием TO-251AA применяется в бытовой электронике, дисплеяx, серверныx и телекоммуникационныx источникаx питания, SMPS, а также в промышленной сварке, индукционном нагреве, электроприводаx и зарядныx устройстваx для аккумуляторныx батарей.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:D
Fall Time:11 ns
Packaging:Tube
Rise Time:11 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeIPAK(TO-251)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-251-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:SIHU5N50D-E3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:104 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Maximum Drain Source Voltage500 V
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:5.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current5.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация