N-Channel MOSFET, 5.3 A, 500 V IPAK SIHU5N50D-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032629439
- Артикул
- SIHU5N50D-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- D
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройство Vishay Semiconductor N-channel 500 В 5,3 А (Tc) мощностью 104 Вт (Tc) с сквозным отверстием TO-251AA применяется в бытовой электронике, дисплеяx, серверныx и телекоммуникационныx источникаx питания, SMPS, а также в промышленной сварке, индукционном нагреве, электроприводаx и зарядныx устройстваx для аккумуляторныx батарей.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | D |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SIHU5N50D-E3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |