E N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V, 3-Pin IPAK SIHU2N80AE-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014546741
- Артикул
- SIHU2N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- E
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 23 ns
Цена по запросу
(от 116,83 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E имеют тип корпуса IPAK (TO-251). Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg, низкая эффективная емкость (Ciss)
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | E |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 23 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.9 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +155 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.6 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |