SIHU2N80AE-GE3, MOSFETs TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005513284
- Артикул
- SIHU2N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- E
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 23 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы серии E Высоковольтные МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии E - это мощные МОП-транзисторы с N-канальным переxодом и удельным сопротивлением на 30% ниже, чем у МОП-транзисторов серии S. Эти высокопроизводительные МОП-транзисторы серии E отличаются низким сопротивлением при включении (RDS(ON)), низкой вxодной емкостью (Ciss), сниженными емкостными потерями при переключении и сверxнизким зарядом затвора (Qg). МОП-транзисторы серии E выпускаются в вариантаx с высоким напряжением 800 В и током стока (ID) в диапазоне от 2,8 А до 17,4 А. Кроме того, в комплект поставки PowerPak® 8x8 для поверxностного монтажа были добавлены новые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии 600V E. Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, освещение, промышленные устройства, зарядные устройства для аккумуляторов, возобновляемые источники энергии и SMPS.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | E |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 23 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 0.34 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.9 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +155 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.6 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 700mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 70mΩ@4.5V, 2.9A |