SIHR120N60E-T1-GE3, E Type N-Channel Single MOSFETs, 32 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056520336
- Артикул
- SIHR120N60E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 44 nC
- V(DS)
- 600 V
- P(tot)
- 278 W
- Package
- PPAK 8x8LR
Цена по запросу
(от 1 238,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 44 nC |
| V(DS) | 600 V |
| P(tot) | 278 W |
| Package | PPAK 8x8LR |
| R(thJC) | 0.45 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | E series |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 104 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 32 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |