Моя заявка (0)

SIHR080N60E-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 51 A, 0.074 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Surface Mount

SIHR080N60E-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 51 A, 0.074 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046434832
Артикул
SIHR080N60E-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.074
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 1 020 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay - это силовой МОП-транзистор серии E, транзистор в котором изготовлен из материала, известного как кремний.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.074
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package Type8x8LR
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Continuous Drain Current51 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А51
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.074 Ом

Техническая документация