SIHP7N60E-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641829
- Артикул
- SIHP7N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Серия:
- E
- Корпус
- TO-220AB
- Упаковка:
- Tube
Цена по запросу
(от 240,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия: | E |
| Корпус | TO-220AB |
| Упаковка: | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время спада: | 14 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | Vishay |
| Торговая марка: | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок: | TO-220AB-3 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 20 nC |
| Время нарастания: | 13 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 78 W |
| Другие названия товара №: | SIHP7N60E-BE3 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 7 A |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 30 V, + 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 600 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 609 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 220 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |