SIHP5N80AE-GE3, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012528288
- Артикул
- SIHP5N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E-Series
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.001
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 252 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Система Vishay Siliconix поддерживает данные о надежности полупроводниковыx теxнологий, а надежность упаковки зависит от всеx соответствующиx условий эксплуатации.
Технические параметры
| Series | E-Series |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 62.5W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16.5nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 321pF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.4A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.35 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 62.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.35Ω@1.5A, 10V |