Моя заявка (0)

SIHP33N60E-GE3, Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

SIHP33N60E-GE3, Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001056846
Артикул
SIHP33N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Длина
10.41 mm
Серия
E
Высота
15.49 mm
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 84 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

Технические параметры

Вес, г1
Длина10.41 mm
СерияE
Высота15.49 mm
Ширина4.7 mm
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада54 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора155 nC
Время нарастания60 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности278 W
Id - непрерывный ток утечки33 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток99 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения99 ns
Типичное время задержки при включении28 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V

Техническая документация