Моя заявка (0)

SIHP28N65E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 87A; 250W; TO220AB

SIHP28N65E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 87A; 250W; TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070071664
Артикул
SIHP28N65E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
250Вт
Drain Source On State Resistance
0.097Ом
Цена по запросу
(от 594,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation250Вт
Drain Source On State Resistance0.097Ом
Линейка ПродукцииE Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока29А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Максимальная Рабочая Температура150°C