Моя заявка (0)

SIHP25N60EFL-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Through Hole

SIHP25N60EFL-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012539748
Артикул
SIHP25N60EFL-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220AB
Power Dissipation
250Вт
Цена по запросу
(от 946 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220AB
Power Dissipation250Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.127Ом
Линейка ПродукцииE Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока25А
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.127 Ом