SIHP25N50E-GE3, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012539747
- Артикул
- SIHP25N50E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
- Vgs (Max)
- В±30V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия SIHP25N50E 500 В 26 А 145 Мом с фланцевым креплением для Mosfet -220AB
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 6 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 12A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1980pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 26A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.125 Ом |