Моя заявка (0)

SIHP24N80AEF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB

SIHP24N80AEF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062488691
Артикул
SIHP24N80AEF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
TO220AB
Mounting
THT
Pin Count
3
Вес, г
2
Цена по запросу
(от 501,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF имеет ток разряда 20 А. Он используется для серверныx и телекоммуникационныx источников питания, источников питания с переключаемым режимом (SMPS), источников питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC).

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
Pin Count3
Вес, г2
Gate charge90nC
Channel TypeN Channel
ManufacturerVISHAY
Package TypeTO-220AB
Polarisationunipolar
Drain current20A
Mounting TypeThrough Hole
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power Dissipation208Вт
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.195Ω
Drain-source voltage800V
Pulsed drain current46A
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Drain Source On State Resistance0.17Ом
Maximum Continuous Drain Current20 A
Линейка ПродукцииEF Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока20А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация