SIH Type N-Channel MOSFET, 20 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030792185
- Артикул
- SIHP24N80AEF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- TO220AB
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 757,72 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF имеет ток разряда 20 А. Он используется для серверныx и телекоммуникационныx источников питания, источников питания с переключаемым режимом (SMPS), источников питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC).
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 90nC |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220AB |
| Drain current | 20A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power Dissipation | 208Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.195Ω |
| Drain-source voltage | 800V |
| Pulsed drain current | 46A |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.17Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Линейка Продукции | EF Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |