SIHP24N80AE-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070178883
- Артикул
- SIHP24N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 208Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.16Ом
Цена по запросу
(от 351,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 208Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
| Линейка Продукции | E |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 21А |
| Рассеиваемая Мощность | 208Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |