Моя заявка (0)
SIHP22N60AE-BE3, MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025470747
Артикул
SIHP22N60AE-BE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±30V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 455,33 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 600 В 20А (Tc) 179 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-220AB

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Корпусto220
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 11A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)179W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1451 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация