Моя заявка (0)
SIHP17N80E-GE3, MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004729465
Артикул
SIHP17N80E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1.8
Серия
E
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 528,80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs TO-220AB

Технические параметры

Вес, г1.8
СерияE
КорпусTO-220AB
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада26 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора122 nC
Время нарастания24 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности208 W
Id - непрерывный ток утечки15 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения71 ns
Типичное время задержки при включении22 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А220
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация