Моя заявка (0)

SIHP17N80AEF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB

SIHP17N80AEF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070150620
Артикул
SIHP17N80AEF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series
E Series
Pin Count
3
Fall Time:
38 ns
Цена по запросу
(от 272,80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E снижают потери при переключении и проводимости. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
SeriesE Series
Pin Count3
Fall Time:38 ns
Packaging:Tube
Rise Time:20 ns
Вес, г2
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220AB-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:42 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)179W
Pd - Power Dissipation:179 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)63nC@10V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)1300pF@0V
Maximum Drain Source Voltage850 V
Typical Turn-Off Delay Time:32 ns
Continuous Drain Current (Id)9A
Id - Continuous Drain Current:15 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8.6 S
Maximum Drain Source Resistance0.305 Ω
Maximum Continuous Drain Current15 A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)5pF@100V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50

Техническая документация