Моя заявка (0)

E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP17N80AE-GE3

E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP17N80AE-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014546740
Артикул
SIHP17N80AE-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
E
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор серии Vishay E имеет тип корпуса TO-220AB и ток стока 15 А. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg

Технические параметры

SeriesE
Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation179Вт
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage2 → 4V
Maximum Drain Source Resistance0.25 Ω
Drain Source On State Resistance0.25Ом
Maximum Continuous Drain Current15 A
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока15А
Рассеиваемая Мощность179Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.25Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация