Dual Silicon N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB SIHP150N60E-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038194862
- Артикул
- SIHP150N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 157,64 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 600 В 22А (Tc) 179 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-220AB
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 10A, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Power Dissipation (Max) | 179W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1514 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |