Моя заявка (0)
SIHP14N60E-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006209355
Артикул
SIHP14N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1.8
Серия
E
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 263,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

Технические параметры

Вес, г1.8
СерияE
КорпусTO-220AB
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада15 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay/Siliconix
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора32 nC
Время нарастания19 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности147 W
Id - непрерывный ток утечки13 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток269 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А220
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)269 mOhms

Техническая документация