Моя заявка (0)

SIHP12N60E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-220AB, Through Hole

SIHP12N60E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8525025482
Артикул
SIHP12N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
E
Fall Time:
19 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 454 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:E
Fall Time:19 ns
Packaging:Tube
Rise Time:19 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220AB
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220AB-3
Part # Aliases:SIHP12N60E-BE3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:147 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:35 ns
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:380 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.32 Ом