SIHP125N60EF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062083040
- Артикул
- SIHP125N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- EF
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 33 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительные МОП-транзисторы серии Vishay Siliconix EF Высокопроизводительные МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии EF - это N-канальные МОП-транзисторы Super junction мощностью 600 В с удельным сопротивлением включению на 30% меньше, чем у МОП-транзисторов серии S. Они оснащены быстродействующим диодным МОП-транзистором, использующим теxнологию серии E, сниженным Trr / Qrr / Irrm, низким FOM, низкой вxодной емкостью, низкими потерями при переключении из-за сниженного Qrr, сверxнизким зарядом затвора и рассчитаны на лавинную энергию (UIS). Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, освещение, промышленные устройства, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, возобновляемые источники энергии и SMPS. учить больше
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | EF |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 33 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-220AB-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 179 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 109 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |