SIHP11N80AEF-GE3,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 0.483 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046441889
- Артикул
- SIHP11N80AEF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay
- Fall Time:
- 22 ns
- Rise Time:
- 15 ns
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 760 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-220AB |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 483 mOhms |