SIHP11N80AE-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070178884
- Артикул
- SIHP11N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Серия
- E
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 286 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CHANNEL 800V TO-220AB
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия | E |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 78Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 27 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 28 nC |
| Время нарастания | 15 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.391Ом |
| Линейка Продукции | E |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Рассеиваемая Мощность | 78Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 391 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.391Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.9 S |