Моя заявка (0)

SIHP105N60EF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB

SIHP105N60EF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070150622
Артикул
SIHP105N60EF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
EF
Pin Count
3
Вес, г
2
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 591,77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Vishay SiHP105N60EF-GE3 - это силовой МОП-транзистор серии EF с быстродействующим диодом в корпусе. Теxнология 4-го поколения серии E

Технические параметры

SeriesEF
Pin Count3
Вес, г2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Maximum Drain Source Resistance0.088 Ω
Maximum Continuous Drain Current29 A

Техническая документация