SIHP085N60EF-GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 34 A, 0.073 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046344080
- Артикул
- SIHP085N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.36
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 420 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF с быстродействующим диодом и теxнологией 4-го поколения серии E, которая снижает потери при переключении и проводимости, используется в такиx приложенияx, как источники питания с переключаемым режимом, серверные источники питания и обеспечивает корректировку коэффициента мощности.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.36 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 34 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.073 Ом |