Моя заявка (0)

SIHP065N60E-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 650В, 25А, 250Вт, TO220AB

SIHP065N60E-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 650В, 25А, 250Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070178886
Артикул
SIHP065N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
TO220AB
Mounting
THT
Вес, г
2.72
Gate charge
98nC
Цена по запросу
(от 961,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии E от Vishay - это высоковольтные транзисторы со сверxнизким максимальным сопротивлением при включении, низким коэффициентом полезного действия и быстрым переключением.

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
Вес, г2.72
Gate charge98nC
Channel TypeN Channel
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Drain current25A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power Dissipation250Вт
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance65mΩ
Drain-source voltage650V
Drain Source On State Resistance0.057Ом
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока40А
Рассеиваемая Мощность250Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.057Ом

Техническая документация