Моя заявка (0)

SIHP065N60E-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-220AB, Through Hole

SIHP065N60E-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000484150
Артикул
SIHP065N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
TO220AB
Mounting
THT
Вес, г
2.72
Gate charge
98nC
Цена по запросу
(от 1 570 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии E от Vishay - это высоковольтные транзисторы со сверxнизким максимальным сопротивлением при включении, низким коэффициентом полезного действия и быстрым переключением.

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
Вес, г2.72
Gate charge98nC
Channel TypeN Channel
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
КорпусTO-220AB
Drain current25A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power Dissipation250Вт
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±30V
On-state resistance65mΩ
Drain-source voltage650V
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.057Ом
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока40А
Рассеиваемая Мощность250Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.057Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.057 Ом

Техническая документация