SIHM080N60E-T1-GE3, MOSFETs E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031423485
- Артикул
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay
- Fall Time:
- 31 ns
- Rise Time:
- 96 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 480 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay |
| Fall Time: | 31 ns |
| Rise Time: | 96 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-8x8L |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Структура | N-Channel E Series Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 51 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.6 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 84 mOhms |