SIHLL110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,93А, 3,1Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543686
- Артикул
- SIHLL110TR-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.19
- Корпус
- SOT223
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 2W;3.1W
Цена по запросу
(от 68,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,93А, 3,1Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.19 |
| Корпус | SOT223 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 2W;3.1W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.1nC@5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 250pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.5A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.93 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 540mΩ@900mA, 5V |