Моя заявка (0)

Silicon N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V, 8-Pin 10 x 12 SIHK155N60EF-T1GE3

Silicon N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V, 8-Pin 10 x 12 SIHK155N60EF-T1GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034136904
Артикул
SIHK155N60EF-T1GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 1 683,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay - это мощный МОП-транзистор серии E с быстродействующим диодом, а транзистор в нем изготовлен из материала, известного как кремний.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package Type10x12
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Continuous Drain Current18 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация