SIHK125N65E-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 25 A, 0.12 ohm, PowerPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050443144
- Артикул
- SIHK125N65E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 57 nC
- V(DS)
- 650 V
- P(tot)
- 174 W
- Package
- PPAK 10x12
Цена по запросу
(от 195 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 57 nC |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 174 W |
| Package | PPAK 10x12 |
| R(thJC) | 0.72 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | E series |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 106 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 25 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.12 Ом |