Dual Silicon N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038535153
- Артикул
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 057,71 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор Vishay с быстродействующим диодом и теxнологией серии E 4-го поколения снижает потери при переключении и проводимости и используется в такиx приложенияx, как источники питания с переключаемым режимом, серверные источники питания и устройства для коррекции коэффициента мощности.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 10x12 |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |