N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014584865
- Артикул
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 27 ns
Цена по запросу
(от 1 555,28 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия Vishay E - это силовые МОП-транзисторы с быстродействующим диодом в корпусе. Эти МОП-транзисторы используются для серверного и телекоммуникационного питания, сварки и электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 27 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 10x12 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPak-9 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 132 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.109 Ом |