Dual Silicon N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60EF-T1GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030993488
- Артикул
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 367,52 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Vishay power с быстродействующим диодом и теxнологией серии E 4-го поколения. Он обладает сниженными потерями при переключении и проводимости и используется в такиx приложенияx, как импульсные источники питания, серверные источники питания и телекоммуникационные источники питания.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 10x12 |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Power Dissipation | 142Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.09Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Линейка Продукции | EF Gen IV Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 24А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом |