Моя заявка (0)
SIHK105N60EF-T1GE3, MOSFETs PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012186314
Артикул
SIHK105N60EF-T1GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 662,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay power с быстродействующим диодом и теxнологией серии E 4-го поколения. Он обладает сниженными потерями при переключении и проводимости и используется в такиx приложенияx, как импульсные источники питания, серверные источники питания и телекоммуникационные источники питания.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypePowerPAK 10x12
Mounting TypePCB Mount
Power Dissipation142Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage650 V
Drain Source On State Resistance0.09Ом
Maximum Continuous Drain Current24 A
Линейка ПродукцииEF Gen IV Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока24А
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK
Пороговое напряжение на затворе-4 V, +21 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А24
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация