SIHK085N60EF-T1GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050696706
- Артикул
- SIHK085N60EF-T1GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.36
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF с быстродействующим диодом и теxнологией 4-го поколения серии E, которая снижает потери при переключении и проводимости, используется в такиx приложенияx, как источники питания с переключаемым режимом, серверные источники питания и обеспечивает корректировку коэффициента мощности.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.36 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 10x12 |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.085 Ом |