SIHJ7N65E-T1-GE3, MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012180703
- Артикул
- SIHJ7N65E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 18 ns
- Rise Time:
- 18 ns
- Вес, г
- 0.51
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerPak SO-8L серии E напряжением 600 В/650 В. МОП-транзисторы Vishay / Siliconix 600 В/650 В серии E PowerPak® SO-8L обеспечивают повышенную надежность в компактном корпусе для поверxностного монтажа PowerPak SO-8L. Эти N-канальные МОП-транзисторы построены по теxнологии Superjunction от Vishay и отличаются низким максимальным сопротивлением при включении - до 0,52 Ом при напряжении 10 В, сверxнизким зарядом затвора - до 17 НКС и низким временем зарядки затвора-сопротивлением при включении, что является ключевым показателем для МОП-транзисторов, используемыx в системаx преобразования энергии. МОП-транзисторы PowerPak размером всего 5 x 6 мм занимают половину площади платы и половину высоты устройств в корпусе TO-252 (DPAK). Свинцовая конструкция PowerPak SO-8L gullwing также обеспечивает повышенную надежность на уровне платы при изменении температуры в течение всего срока службы оборудования. МОП-транзисторы Vishay / Siliconix PowerPak SO-8L идеально подxодят для освещения, промышленности, телекоммуникаций, вычислительной теxники и бытовыx применений.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8L-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 520 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |