Моя заявка (0)

SIHH14N65EF-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 36A; 156W

SIHH14N65EF-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 36A; 156W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062346411
Артикул
SIHH14N65EF-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
156Вт
Drain Source On State Resistance
0.236Ом
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation156Вт
Drain Source On State Resistance0.236Ом
Линейка ПродукцииE Series
Количество Выводов5вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока15А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK
Максимальная Рабочая Температура150°C