SIHH14N60E-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 38A; 147W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062488798
- Артикул
- SIHH14N60E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- E
- Fall Time:
- 31 ns
- Rise Time:
- 21 ns
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | E |
| Fall Time: | 31 ns |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-4 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 147 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 220 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |