SIHH11N65EF-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.332 ohm, PowerPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012539768
- Артикул
- SIHH11N65EF-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 130Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 1 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 130Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.332Ом |
| Линейка Продукции | E Series |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.332 Ом |