SIHH105N60EF-T1GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062306802
- Артикул
- SIHH105N60EF-T1GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SiHH105N60EF
- Pin Count
- 4
- Fall Time:
- 28 ns
Цена по запросу
(от 732 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия Vishay EF - это силовые МОП-транзисторы с быстродействующим диодом в корпусе. Эти МОП-транзисторы используются для серверного и телекоммуникационного питания, сварки и электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SiHH105N60EF |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 28 ns |
| Rise Time: | 62 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 8x8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 174 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 91 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |