SIHH100N65E-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 0.1 ohm, PowerPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050443141
- Артикул
- SIHH100N65E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 62 nC
- V(DS)
- 650 V
- P(tot)
- 184 W
- Package
- PPAK 8x8
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 62 nC |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 184 W |
| Package | PPAK 8x8 |
| R(thJC) | 0.68 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | E series |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 87 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 28 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом |