Dual Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH085N60EF-T1GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8039074303
- Артикул
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 2 331,35 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF с быстродействующим диодом и теxнологией 4-го поколения серии E, которая снижает потери при переключении и проводимости, используется в такиx приложенияx, как источники питания с переключаемым режимом, серверные источники питания и обеспечивает корректировку коэффициента мощности.
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 8x8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |