SIHH080N60E-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 96A; 184W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070218161
- Артикул
- SIHH080N60E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E Series
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 533,05 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E снижают потери при переключении и проводимости. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Series | E Series |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 8x8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.08 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 32 A |